Pérez Álvarez, RolandoLeón Pérez, Fernando deVillegas Villegas, Diosdado Lorenzo2019-05-272019-05-272010https://dspace.uclv.edu.cu/handle/123456789/11211En este trabajo se estudia el tunelaje de fonones de longitud de onda larga a través de una heteroestructura semiconductora. A partir de la ecuación de continuidad de la densidad de energía del sistema se obtiene un tiempo característico análogo al tiempo de estancia para electrones; así como una relación analítica general entre el tiempo de estancia y los diferentes tiempos de transmisión y reflexión. Las propiedades básica de la matriz de transferencia y la equivalencia de los tiempos de transmisión y reflexión son derivadas teóricamente partiendo de principios generales; tales como la invarianza ante la inversión en el tiempo y la invarianza ante la reflexión espacial de la ecuación de onda y la conservación del flujo de la densidad de energía. Se investigan un fenómeno análogo al Efecto Hartman durante el tunelaje de fonones de longitud de onda larga y se propone una posible explicación del mismo sobre la base de la saturación de la energía vibracional almacenada en la región de la barrera. Los cálculos analíticos y numéricos de los diferentes tiempos de tunelaje incluyen a los fonones acústicos y ´ópticos. En particular se realiza un estudio del tunelaje resonante en un sistema de doble barrera de fonones. Además se introduce el concepto de impedancia generalizada y su posible aplicación en el cálculo de las amplitudes de las ondas en las diferentes regiones que conforman a una estructura arbitraria.esEste documento es Propiedad Patrimonial de la Universidad Central “Marta Abreu” de Las Villas. Los usuarios podrán hacer uso de esta obra bajo la siguiente licencia: Creative Commons: Atribución-No Comercial-Compartir Igual 4.0 LicenseTiempo de TunelajeFononesHeteroestructura SemiconductoraEfecto TúnelFononesSemiconductoresThesis