Publicación: Tiempo de tunelaje de fonones a través de una heteroestructura semiconductora
Fecha
2010
Autores
Villegas Villegas, Diosdado Lorenzo
Título de la revista
ISSN de la revista
Título del volumen
Editor
Universidad Central “Marta Abreu” de Las Villas
Resumen
En este trabajo se estudia el tunelaje de fonones de longitud de onda larga a través de una heteroestructura semiconductora. A partir de la ecuación de continuidad de la densidad de energía del sistema se obtiene un tiempo característico análogo al tiempo de estancia para electrones; así como una relación analítica general entre el tiempo de estancia y los diferentes tiempos de transmisión y reflexión. Las propiedades básica de la matriz de transferencia y la equivalencia de los tiempos de transmisión y reflexión son derivadas teóricamente partiendo de principios generales; tales como la invarianza ante la inversión en el tiempo y la invarianza ante la reflexión espacial de la ecuación de onda y la conservación del flujo de la densidad de energía. Se investigan un fenómeno análogo al Efecto Hartman durante el tunelaje de fonones de longitud de onda larga y se propone una posible explicación del mismo sobre la base de la saturación de la energía vibracional almacenada en la región de la barrera. Los cálculos analíticos y numéricos de los diferentes tiempos de tunelaje incluyen a los fonones acústicos y ´ópticos. En particular se realiza un estudio del tunelaje resonante en un sistema de doble barrera de fonones. Además se introduce el concepto de impedancia generalizada y su posible aplicación en el cálculo de las amplitudes de las ondas en las diferentes regiones que conforman a una estructura arbitraria.
Descripción
Palabras clave
Tiempo de Tunelaje, Fonones, Heteroestructura Semiconductora